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Dual, SiGe, High-Linearity, 1700MHz to 2200MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, R1 = R4 = 909 Ω , R2 = R5 = 1k Ω , V CC = 3.3V , P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, f RF = 1850MHz,
f LO = 2200MHz, f IF = 350MHz, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
55
50
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
55
50
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
55
50
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
45
T C = -30°C, +25°C, +85°C
45
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
45
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
40
40
40
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
-30
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-35
T C = +85°C
V CC = 3.3V
-35
V CC = 3.3V
-35
V CC = 3.6V
-40
T C = -30°C
-40
-40
-45
T C = +25°C
-45
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-45
V CC = 3.0V
V CC = 3.3V
-50
-50
-50
2050
2150
2250
2350
2450
2550
2050
2150
2250
2350
2450
2550
2050
2150
2250
2350
2450
2550
45
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
45
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
45
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
40
35
T C = +85°C
T C = +25°C
40
35
40
35
T C = -30°C
30
30
30
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
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2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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